业内称台积电将在 2 年内商业化 CoWoS-L 技术

大千世界 95 0

  业内人士透露,台积电已确定其最新 CoWoS 工艺变体 CoWoS-L 是 2.5D 封装 4 倍全光罩尺寸的唯一解决方案,正与 HPC 芯片客户合作,共同应对基板端的挑战,预计将于 2023-2024 年开始商业生产。

  

业内称台积电将在 2 年内商业化 CoWoS-L 技术-第1张图片-大千世界


  据《电子时报》报道,CoWoS-L 是台积电专门针对人工智能训练芯片设计的,据其介绍,该工艺结合了台积电 CoWoS-S 和信息技术的优点,通过中介层、用于芯片间互连的本地硅互连(LSI)芯片以及用于电源和信号传输的 RDL 层,提供了最灵活的集成。

  消息人士称,台积电的 CoWoS 技术是专门为 HPC 设备应用设计的 2.5D 晶圆级多芯片封装技术,已经投入生产近 10 年。凭借 CoWoS,台积电已经从高性能计算处理器供应商,如 AMD 赢得了大量订单。

  台积电传统的带硅中介层的 CoWoS 技术(CoWoS-S)已进入第五代。CoWoS-S 的硅中介层可以达到 2 倍以上全光罩尺寸(1700mm2),将领先的 SoC 芯片与四个以上的 HBM2 / HBM2E 堆栈集成在一起。

  在台积电为第 71 届 IEEE 电子元器件和技术会议(ECTC)提交的一篇论文中,该公司介绍了采用一种新颖的双路光刻拼接方法的 CoWoS-S5 技术,3 倍全光罩尺寸(2500mm2)使得硅中介层的可容纳 1200mm2 的多个逻辑芯片以及八个 HBM 堆栈。除了硅中介层的尺寸增加外,还加入了新的功能,与之前的 CoWoS-S 组合相比,进一步增强了 CoWoS-S5 的电气和热性能。

  台积电还提供 CoWoS-R,即一种利用其 InFO 技术的 CoWoS 工艺变体,以利用 RDL 层实现芯片之间的互连,特别是在 HBM 和 SoC 异构集成方面。RDL 层由聚合物和微量铜组成,具有相对的机械柔性。

  消息人士称,尽管最近大众市场消费电子设备的需求越来越不确定,但 HPC 芯片的需求仍有希望。台积电增强型 CoWoS-S 封装以及-R 和-L 工艺变体将能够满足客户对其高性能计算产品的不同需求。2022 年第一季度,HPC 芯片的订单超过智能手机,成为台积电最大的收入贡献者,将推动其今年纯代工收入增长。


标签: 芯片 台积电

抱歉,评论功能暂时关闭!