6 月 22 日消息，据国外媒体报道，5nm 制程工艺量产已有两年的台积电和三星电子，都在全力推进 3nm 工艺的量产，两家公司是都计划在今年量产。
而韩国媒体根据最新的消息报道称，三星电子有望在下周宣布 3nm 制程制程工艺的量产事宜。
如果三星电子真如外媒报道的那样，在下周宣布 3nm 工艺量产，他们在这一制程工艺上，就将先于台积电实现量产。台积电的 3nm 工艺在去年开始风险试产，正按计划推进在今年下半年量产。
在竞争激烈的 3nm 制程工艺方面，三星电子和台积电的技术路线并不相同，三星电子率先采用全环绕栅极晶体管，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。
外媒在报道中提到，三星电子此前曾表示，采用全环绕栅极晶体管技术的 3nm 制程工艺，同当前的鳍式场效应晶体管架构相比，性能将提升 30%，能耗降低 50%，逻辑面积效率提升超过 45%。
三星电子的 3nm 制程工艺有望先于台积电量产，在 5 月初也曾出现过。当时就有外媒在报道中表示，三星在推进 3nm 工艺在二季度量产，如果能顺利实现，就将先于台积电量产。而二季度到下周四就将结束，如果三星电子要在二季度量产，就需要在下周四之前量产。
《追赶台积电，三星计划 2025 年开始大规模生产基于 GAA 的 2nm 芯片》
文章来源：
IT之家
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至23467321@qq.com举报，一经查实，本站将立刻删除;如已特别标注为本站原创文章的，转载时请以链接形式注明文章出处，谢谢！
