7 月 5 日，知名半导体分析机构 TechInsights 举办了线上“存储半导体进展与融合挑战：DRAM 和 NAND”(Memory Process and Integration Challenges: DRAM & NAND)研讨会。
在存储芯片领域有着 30 多年从业经历的高级技术分析师 Jeongdong Choe 博士在会上分享了 DRAM 和 NAND 前沿技术的发展以及未来可能遭遇的挑战。
日前，三星在 128 层单堆栈产品的容量上(从 256Gb 到 256Gb)不断实现突破。对此，Jeongdong Choe 在研讨会上表示，目前全球主要玩家在 3D NAND 设计上都有不同程度的创新，比如三星的 COP 架构，SK 海力士的 PUC 架构，美光的 CuA 架构等等。
三星 128 层单堆栈 3D NAND 的核心竞争力在于单堆栈，不同于英特尔等竞争对手的多 deck 集成，可以在深宽比(high aspect ration)和 deck 与 deck 的对齐问题上做到最大限度的优化，在量产 3D NAND 闪存产品中实现了世界上最小的单元间距，显示了单堆栈技术仍有巨大的发展潜力。
DRAM 市场的几大参与者包括了三星、美光、SK 海力士，另外再加上南亚科技(Nanya)、力积电(PSMC)和长鑫存储(CXMT)等。
▲ 来源：TechInsights
三星、美光与 SK 海力士面向 DDR4、DDR5 和 LPDDR5 应用，已经以 15nm 和 14nm 级别的单元设计规则(D / R)发布了 D1z 和 D1α 节点的产品。
美光和 SK 海力士在 D1z 节点上还在用基于 ArF-i 的双重曝光，虽说部分分析师评价三星提前在这一领域布局 EUV 技术是过于激进的。这张图同时也给出了 2024 年之后的一些 DRAM 工艺节点，包括 D1d、D0a、D0b 等。
除 DRAM 外，NAND 技术也正在迎来快速发展。
当前进展为三星 176 层(V7)、铠侠 / 西数 162 层(BiCS6)、美光 176 层(2nd CTF)、SK 海力士 176 层(V7)，还有长江存储的 128 层 Xtacking TLC 和 QLC 产品;另外宏旺(MXIC)也宣布了 48 层的 3D NAND 原型产品，预计今年晚些时间或 2023 年进入规模量产。
主要的一些创新型技术和设计，比如 3 层 deck 结构，CuA(CMOS-under-array，美光)、COP(Cell Over Peri，三星)、PUC(Periphery Under Cell，SK 海力士)结构技术，以及采用 H-bonding 键合的 Xtacking die。其他创新技术热点还有诸如三星 Z-NAND、铠侠 XL-NAND 这类低延迟高速 NAND 产品，也已经商用。
新型存储器方面，STT-MRAM 当前的发展很不错，参与这项技术研发的企业和机构囊括了 Everspin、GlobalFoundries、Avalanche、索尼、美光、Imec、CEA-LETI、美国应用材料、三星、富士通、IBM、台积电、Spin Transfer Technologies 等。
