SK 海力士在近日举行的二季度财报电话会议上透露，计划在年内完成 238 层 NAND 试产，并在 2023 年上半年实现量产。
针对美光近期量产 232 层 NAND 的动态，海力士方面表示各家厂商产品发布节奏不同，存储市场目前应专注于提高盈利能力，海力士的目标是实现行业最高水平的盈利能力。
公司方面还表示，计划今年年底实现主力产品 176 层 4D NAND 以晶圆形式出货占比 70%，以进一步提升毛利率。
针对 DRAM 市场行情，海力士方面表示，尽管目前 DRAM 的平均售价(ASP)走低，但成本下降足以弥补 ASP 变化，公司方面预计今年 DRAM 出货量将增加约 10%，NAND 闪存出货量增加 20%。
文章来源：
IT之家
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至23467321@qq.com举报，一经查实，本站将立刻删除;如已特别标注为本站原创文章的，转载时请以链接形式注明文章出处，谢谢！
