三星今天(11月7日)宣布开始量产第8代V-NAND闪存芯片，堆到了236层。
上一代V-NAND其实只有176层，已经用在了旗舰SSD固态盘990 PRO上。
关于第八代V-NAND，有两点值得一说，一是三星介绍单芯片现在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是这次依然是TLC颗粒(3 bits/cell)。
其实，部分厂商在进入到150+层的阶段后，开始大肆制造更具成本效益的QLC颗粒，好在这次坚守住了底线。
据悉，第8代V-NAND闪存芯片采用Toggle DDR5内部接口，传输速度2400Mbps，未来用于PCIe 5.0固态盘上，典型速度将能达到12.4GB/s。
因为生产效率提升20%，最终的SSD成品模组也有望更便宜。稍稍遗憾的是，三星这次并没有透露商用产品何时首发。
标签： TLC闪存
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快科技
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